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存储芯片贵到离谱,SK海力士拟赴美建厂控价_我的网站

A | 明年AI芯片需求或将暴涨60%至100%。 SK集团会长崔泰源近日在记者会上表示,当前存储芯片价格处于“异常高位”。他强调:“即便站在半导体企业自身角度,也必须扩大供给以压低芯片售价。 首颗“雄安造”卫星成功发射入轨多项国内首创技术在轨验证,解锁卫星批量组网新路径
8月19日7时35分,在酒泉东风商业航天创新试验区,首颗“雄安造”卫星——鸿擎科技“鸿鹄03星”由朱雀三号遥二运载火箭发射升空。

B | 王伟倩摄日报讯(记者曹铮、白云)8月19日7时35分,在酒泉东风商业航天创新试验区,首颗“雄安造”卫星——鸿擎科技“鸿鹄03星”由朱雀三号遥二运载火箭发射升空。卫星成功入轨后,太阳翼顺利展开,各项遥测参数正常,发射任务取得圆满成功。”他补充称,出于扩充产能、应对贸易压力两大核心考量,SK海力士正规划在美国新建半导体工厂。 崔泰源会长指出:“目前存储芯片价格高得反常。这标志着雄安新区空天信息和卫星互联网产业实现了从研发制造到在轨应用的全流程闭环。AI企业尚可通过自身投资消化成本上涨,但PC、手机厂商只能将芯片涨价成本转嫁至终端产品。这类产品的消费群体以普通消费者为主,终端售价上调空间十分有限。为避免出现‘芯片通胀’——也就是芯片涨价带动整机成本攀升的局面,行业必须增加供给。朱雀三号是我国首次实现陆地回收的运载火箭。箭上搭载的卫星又名“雄安一号”,由北京蓝箭鸿擎科技有限公司自主研制,在位于鸿擎科技雄安中试中心的全国首条流水线式自动化卫星批产产线下线。” 崔泰源警示,芯片价格长期高位运行最终会损害半导体企业的利益。他表示:“即便会压缩利润空间,扩大产能、守住市场、协同发展,才是韩国半导体产业持续发展的核心出路。如果各大厂商不新建产线、任由价格持续走高,市场规模会不断萎缩,同时大量新竞争者必然涌入行业。”他提到,特斯拉首席执行官马斯克等企业高层纷纷入局半导体制造,根源就在于当前行业利润过高。

C | “这是一颗重541公斤的平板卫星,长3米、宽2米,厚度只有0.4米。 他同时对大国之间潜在的地缘政治表达担忧:“芯片价格持续暴涨、引发芯片通胀,会衍生一系列地缘矛盾。”鸿擎科技“鸿鹄03星”项目经理郑书强介绍,星上集成“金乌”动力系统、“赤羽”能源系统、“白泽”电子系统三大自研单机,将对氩工质电推进系统、商业级氮化镓功率器件航天工况等十余项国内首创技术实施在轨验证。从地面到天上,才是真正的考验。星箭分离、自主入轨、回传信号,环环相扣,牵动人心——7时35分,火箭点火升空;10分钟后,星箭成功分离,卫星顺利入轨;随后,卫星在轨传回第一组遥测数据。这颗来自未来之城的卫星将在距地表约500公里的轨道上持续工作。不能只顾眼前短期利益,要培育市场,实现长期稳定发展。” 在强调扩产必要性的同时,崔泰源预判短期芯片价格很难回落。当前,全球商业航天低轨星座规模化建设步伐持续加快。“这些技术的在轨验证,将补齐低轨卫星平台核心技术短板,破解大规模卫星组网长期在轨运维、能源需求等难题。他称,明年AI芯片需求或将暴涨60%至100%,但头部厂商的产能增量微乎其微。AI相关需求已占据半导体整体市场过半份额,整体行业需求涨幅至少可达50%至60%。”目送卫星奔赴太空,郑书强言语间难掩激动。“雄安一号”的设计寿命为5年。 崔泰源预计明年芯片供给短缺问题将进一步加剧。他说道:“明年没有哪家企业会大规模扩产,行业供需形势严峻,甚至可以说一片混乱。各方都在向我们提出诉求、施压,韩国政府后续也大概率会承受来自海外各方的压力。

D | “地面模拟试验虽已覆盖各类工况,但卫星在真实空间环境下的系统表现,有待在轨运行后加以检验。”郑书强说,在轨验证数据将源源不断地回传到地面工作站进行技术积淀,推动商业卫星从“单颗造”迈向“批量产”。“这颗卫星是落地雄安的商业航天企业交出的首份飞天答卷。”雄安新区科学园管委会副主任马扬飚介绍,空天信息和卫星互联网产业是雄安新区标志性产业之一,目前雄安已集聚相关生态企业69家,覆盖卫星设计、零部件生产、总装制造、在轨运维、时空应用等全链条。“雄安一号”成功入轨,意味着雄安新区已具备从技术攻关到整星交付的完整能力。” 他接着表示:“这也是为什么我们除了在湖南地区布局产线,同时也要考虑赴美建厂,条件允许就必须落地。我们需要兼顾各类贸易摩擦与行业难题,因此正在评估海外建厂方案。

E | ”崔泰源会长表示:“目前团队正在全球筛选建厂选址,摸排全球所有可行地块,对比各地建厂条件、建设速度与产能规模,择优快速落地新建工厂。一条从研发到制造、从测试到应用的空天信息和卫星互联网产业链,正在这里加速贯通。” 值得注意的是,SK海力士正在同时开建四个超级工程,一是龙仁半导体集群:600万亿韩元,将龙仁打造为全球AI存储生产基地。原定2045年完工的4座工厂,将全部提前12年到2033年完成(首座已提前到2027年5月竣工)。目前,首座工厂已于2025年2月全面动工,主体结构基本建成。

F | 二是清州基地,100万亿韩元。

G | 用于新建NAND晶圆厂、引入生产设备、加强HBM后端先进封装能力。其中下一代先进封装工厂(P&T7)投资约19万亿韩元,预计2027年底完工。

H | 三是西南地区新集群,400万亿韩元。在韩国西南部的光州、全罗南道一带建设新的存储前端制程集群,主要做存储芯片前端制程。选址尚未确定,但相关准备工作立即开始。 四是美国普渡大学园区工厂,2024年动工,投资约38.7亿美元,专注于HBM先进封装,2028年投产。这是SK海力士首次在美国本土建厂,也是它在地缘政治上“靠拢美国”的关键一步。 *声明:本文系原作者创作。文章内容系其个人观点,我方转载仅为分享与讨论,不代表我方赞成或认同,如有异议,请联系后台。
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Published on:19:15:28
